Centar za edukaciju-BiH

Predmet:Kineski znanstvenici razvili najbrzu memoriju na svijetu

---

U znanstvenom iskoraku koji bi mogao preoblikovati buduchnost rachunalne tehnologije, istrazivachi sa Sveuchilishta Fudan iz SHangaja razvili su najbrzu poznatu memoriju za pohranu podataka - uređaj koji moze raditi nevjerojatnih 25 milijardi puta u sekundi.
Ova nova vrsta flash memorije, nazvana PoX, postigla je brzinu pristupa od samo 400 pikosekundi (0,4 nanosekunde), shto je novi svjetski rekord. Da bismo to stavili u perspektivu: dok obichni USB stick moze obaviti oko 1.000 operacija u treptaju oka, PoX ih obavi vishe od milijardu.
Dosadashnje nevolatilne memorije, poput flash memorije (USB, SSD), poznate su po tome shto zadrzavaju podatke i kada nema napajanja, ali im nedostaje brzina. S druge strane, brze memorije poput DRAM-a i SRAM-a gube podatke kad se uređaj iskljuchi. Fudanov tim uspio je spojiti najbolje iz oba svijeta - brzinu volatilne memorije i postojanost nevolatilne memorije.
Ova tehnologija koristi napredne fizichke principe, ukljuchujuchi dvodimenzionalnu Diracovu strukturu pojasa i balistichki transport, koji omoguchuju tzv. super-injekciju elektrichnog naboja - proces koji znachajno nadmashuje tradicionalne metode pohrane podataka.
Ovaj tehnoloshki skok mogao bi imati ogromne posljedice za razvoj umjetne inteligencije, gdje je brzina pristupa podacima kljuchna. Također, zbog svoje niskopotroshne prirode i skalabilnosti, PoX bi mogao postati temelj buduchih industrijskih aplikacija.
S obzirom na to da je ovaj uređaj vech probio teorijske granice brzine za nevolatilnu memoriju, jedno je sigurno - PoX nije samo brzi flash drive. To je uvid u buduchnost u kojoj che uređaji raditi gotovo u stvarnom vremenu, s kapacitetima za podrshku najzahtjevnijim tehnologijama danashnjice - od autonomnih vozila do kvantnog rachunalstva i naprednih AI modela.
Frano Covich
IZVOR: bajtbox

---